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电子元器件详细资料 » IC[28212] » SP8M7TB
型号:SP8M7TB类别:FET - 阵列制造商:Rohm Semiconductor
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)描述:MOSFET N+P 30V 5A 8-SOIC

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET N+P 30V 5A 8-SOIC
系列-
制造商Rohm Semiconductor
FET型N 和 P 沟道
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V
电流_连续漏极(Id)0a025000C5A,7A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C51 毫欧 @ 5A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2222.5V @ 1mA
闸电荷(Qg)0a0Vgs5.5nC @ 5V
输入电容(Ciss)0a0Vds230pF @ 10V
功率_最大2W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SOIC N
包装剪切带 (CT)

供应商

深圳市春东电子有限公司朱先生/王小姐0755-82563615/82563213
深圳市芯福林电子科技有限公司张女士0755-82574045
深圳市正信鑫科技有限公司小邹0755-22655674/15099917285
深圳市芯脉实业有限公司周19166203057
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